罗姆将以sic为首的功率元件事业作为发展战略之一定位，今后，加强实现更高耐压、更大电流的sic元件/模块的产品阵容的同时，不断推进完善sic 沟槽式mosfet和sic-ipm（智能电源模块）等sic相关产品的阵容与量产化。
特点：
a; 开关损耗降低85％
内置了最先进的sic-sbd与sic-mosfet的“全sic”模块，与传统的si-igbt相比，开关损耗可降低85％。
b; 实现小型、轻薄封装
通过设计和工艺改善，成功开发出散热性卓越的模块。大大有助于设备的小型化需求。
＜电路图＞
术语解说：
・igbt（insulated gate bipolar transistor的简称）
绝缘栅双极晶体管。给栅极安装了mosfet的双极晶体管。
・mosfet（metal－oxide－semiconductor field effect transistor的简称)
金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是fet中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
・sbd（肖特基势垒二极管schottky barrier diode 的简称）
使金属和半导体接触从而形成肖特基结，利用其可得到整流性（二极管特性）的二极管。具有“无少数载流子存储效应，高速性能卓越”的特点。罗姆株式会社推出的“全sic”功率模块（额定1200v/100a）开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用sic（silicon carbide：碳化硅）构成。
此产品安装在工业设备和太阳能电池等中负责电力转换的变频器、转换器上，与普通的si（硅）材质的igbt模块相比，具备以下优势，有效解决了世界能源和资源等地球环境问题。
1;开关损耗降低85％
2;与传统的400a级别的si-igbt模块相替换时，体积减小约50％
3;损耗低，因此发热少，可减小冷却装置体积，从而可实现设备整体的小型化
本产品计划在罗姆总部工厂（京都市）从3月份下旬开始量产、出货。
近年来，在工业设备和太阳能电池、电动汽车、铁路等电力电子技术领域，与si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的sic元件/模块的实际应用备受期待。
根据估算，将传统的si半导体全部替换为sic后的节能效果，仅在日本国内就相当于4座核电站的发电量※2，因此，各公司都已强化了相关研究开发。在这种背景下，罗姆于2010年在世界上率先成功实现了sic-sbd和sic-mosfet两种sic元件的量产，在行业中遥遥领先。
与此同时，关于“全sic”模块，即所内置的功率元件全部将si替换为sic，多年来，虽然全世界的制造商多方试制，但在可靠性上存在诸多课题，一直无法实现量产。
通过罗姆开发出的独创的缺陷控制技术和筛选法，使可靠性得以确保。针对sic制备过程中特有的1700℃高温工序，为了防止其发生特性劣化，罗姆开发了控制技术，于世界首家确立了“全sic”功率模块的量产体制。
内置最先进的sic-sbd和sic-mosfet两种元件，与传统的si-igbt模块相比，可以将电力转换时的损耗降低85％。另外，与igbt模块相比，在10倍于其的频率－100khz以上的高频环境下工作成为可能。该产品的额定电流为100a，通过高速开关和低损耗化，可以与额定电流为200～400a的si-igbt模块进行替换。
不仅如此，通过设计和工艺的改善，罗姆还成功开发出散热性卓越的模块。替换传统的400a级别的si-igbt模块时，体积可减小约50％。由于损耗低，因此发热少，可减小外置的冷却装置体积，从而非常有助于设备整体的小型化。
