基于cmos技术的突破性隔离型场效应晶体管(fet)驱动器家族产品，这使得开发人员能够使用自己选择的特定应用和高容量的fet去替代过时的机电继电器(emr)和基于光耦合器的固态继电器(ssr)。新型si875x系列产品是业内首款隔离型fet驱动器，设计旨在利用集成的cmos隔离栅传输电源，这消除了通常所需的隔离的次级侧开关电源，减少了系统成本和复杂性。当与分立fet搭配时，si875x驱动器提供业内一流的emr/ssr替代解决方案，适用于电机和阀门控制器、hvac继电器、电池监控、交流干线与通信交换机、hev/ev汽车充电系统和其他工业和汽车应用等。
开发人员传统上在开关应用中使用emr和基于光耦合器的ssr，并且这两种技术都有局限性。emr是昂贵、慢速、笨重和产生噪声的，emr的这些劣势导致ssr的使用上有两位数增长率，但是即使这样也面临诸多挑战。基于光耦合器的ssr有固有的限制，例如由于led老化而导致更短使用寿命、更高温度时降低性能和可靠性、较差的噪声抗干扰性。另外，它们也只能选择受限的集成fet，进一步损害了性能、成本和功耗。
silicon labs基于cmos的si875x隔离型fet驱动器提供了更好的选择，能够为使用ssr或emr的应用降低系统成本和功耗，增强系统性能。因为 si875x驱动器不使用led或光学元件，它们提供整个使用寿命和温度范围的极佳稳定性。极小封装的si875x器件提供完全无声的开关特性，这使得它们成为笨重emr的理想替代解决方案，这些emr通常受限于电子开关噪声、老化问题，以及量产带来的挑战问题。
si875x器件通过使用标称10.3v、极低1ma输入电流和1.1ms响应时间来驱动fet门。增加输入电流到10ma可实现极快的94μs接通时间。独特的电源优化选项能够快速获得最大导通电流，然后一旦可选的外部电容放电时，静态保持电流最多可降低到最大导通电流的90%。灵活的2.25至 5.5v的输入侧电压支持平滑连接到低功率控制器。si875x驱动器也具有可选的米勒钳位能力，防止外部fet的意外开启。
si875x器件具有2.5kvrms隔离等级，能够在整个工业和汽车级温度范围(高达+125℃)进行操作，设计符合严格的ul、csa、vde、 cqc标准。多功能输入提供数字cmos引脚控制(si8751器件)或二极管仿真(si8752器件)，能够很好的适应目标应用，并且灵活的输出支持 ac和dc负载配置。
silicon labs电源产品副总裁ross sabolcik表示：“凭借独一无二的将功能强大、可靠的基于cmos的隔离技术和通过隔离栅传输电源整合的创新能力，silicon labs的si875x驱动器为陈旧的emr和基于光耦的ssr提供了不可或缺的替代解决方案。新型si875x家族产品为开发人员选择应用所需的具有成本效益的fet提供了极大灵活性，也为最先进的固态开关带来最简单的迁移方案。”http://szhsddz3.51dzw.com/
si875x隔离型fet驱动器系列产品优势特点：
· 业内首款基于cmos的隔离型ssr解决方案，支持特定应用的fet。
· 一流的噪声抑制能力，高可靠性和2.5kvrms隔离等级。
· 高压条件下长使用寿命(1000v条件下可达100年)。
· 高效开关：10.3v门电压，仅仅1ma输入电流。
· 2.25至5.5v宽输入电压可实现节能。
· 独特引脚特性可在功耗/开关时间之间优化权衡。
· 米勒钳位防止外部fet意外开启。
· 小型soic-8封装，集成了隔离和用于低功耗应用的功率电容器。
· aec-q100认证的汽车级器件选项。
