中国自主研发DRAM芯片

据之前长鑫存储、睿力集成电路的规划:2018年1月一厂厂房建设完成,并开始设备安装;2018年底量产8gb ddr4工程样品;2019年3季度量产8gb lpddr4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。

另外,兆易创新16日晚间公告,董事会收到公司总经理朱一明的书面辞职信。朱一明因工作需要辞去公司总经理职务,仍继续担任公司董事长及董事会相关专业委员会职务。

兆易创新表示,朱一明所负责的工作已平稳交接,其辞职不会对公司的生产经营产生重大不利影响。另经董事会审议通过,决定聘任何卫为公司代理总经理。

据悉,朱一明将接任合肥长鑫存储及睿力ceo,担任合肥长鑫存储及睿力ceo经过合肥有关单位、大基金批准,未来将会全职投入职位,持续研发、持续投入,并“在项目盈利之前,不领取一分钱薪酬和奖金。”

2017年,兆易创新大动作宣布与合肥产投(合肥产业投资控股(集团)有限公司)签署为期五年协定,双方将在合肥经济技术开发区合作开展19nm制程存储器,专案预算共计人民币180亿元。

兆易创新和合肥的合作,将会给兆易创新的“dram梦”提供一个新的机遇,这个机遇首先包括:将为合肥经济技术开发区空港经济示范区内开展19nm制程的12吋晶圆存储器(含dram等)研发,目标是在2018年12月31日前研发成功,并实现产品良率不低于10%。

其次,关于资金方面,项目所需投资由兆易创新与合肥产投根据1:4的比例负责筹集。

第三,关于项目产能的约定,要求项目研发及生产的dram产品优先供给兆易创新销售并满足其客户市场需求,价格参照市场行情且给予最佳优惠。专案也将优先承接兆易创新dram产品的代工需求,为该公司设计产品的投片、生产提供支援与便利。

也就是说,兆易创新与合肥长鑫睿力背后的大股东合肥产投从技术研发,到产能需求,再到资金筹集,这三大方面都深深“绑定”在一起。

日前,消息称合肥长鑫存储dram项目正式投片,启动试产8gb ddr4工程样品。这将是第一个中国自主研发的dram芯片。

合肥长鑫ceo王宁国今年四月在出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上表示,合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成,设备也开始安装。

来源:闪存市场

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:参考设计