报道指出，sk海力士所公开的puc并非全新技术，美光早前已开发出类似的cell on peripheral(cop)技术，并用于生产3d nand flash，而sk海力士赋予此技术4d的名称，是为营造出较3d先进的意象，营销的用意更大，最终能否获得市场青睐，仍待观察。
而据sk海力士透露，公司内部的4d闪存已经推进到了128层堆叠，很快可以做到单芯片512gb，2015年已做到单芯片8tb。目前，sk海力士的3d nand是72层堆叠，单芯片最大512gb(64gb)，首款企业级产品pe4010已于今年6月份出货给微软azure服务器。
同时，sk海力士也透露，已经开始向慧与科技(hpe)出货导入72层3d nand flash的sata固态硬盘(ssd)，虽非高端产品，但意味着sk海力士正在为挑战企业级ssd市场做准备。
sk海力士正在全球增设产能
近几年，受惠于darm内存芯片和nand闪存芯片强劲的需求推动，sk海力士营收屡创新高。据公司最新发布的第二季度财报显示，sk海力士第二季度净利润达到创纪录的4.3万亿韩元(约合38.4亿美元)，同比增长75.4%。
其中，第二季度dram芯片出货量同比增长了16%，因市场供应短缺，销售价格同比上涨了4%;而第二季度nand芯片出货量同比增长了19%，但因产品供应量的增加，销售价格下滑了9%。
sk海力士表示，随着中美两国数据公司企业投资的增加，今年下半年与服务器相关的产品需求仍将会增长。此外，对移动设备的季节性需求，包括新款智能手机的发布，也将为相关产品提供支持。sk海力士还表示，dram内存芯片的供给短缺问题仍将会随着时间推移继续存在。
为满足内存芯片市场越发旺盛的需求，今年7月底，sk海力士宣布将在总部京畿道利川市新建一座半导体工厂，新工厂总投资额达3.4万亿韩元(约合人民币215亿元)，预计2018年底开工建设，计划2020年10月份完工。
除了建设新厂，sk海力士还将持续提升利川市m14工厂(2015年建成)的产能;同时，sk海力士在韩国清州增设的洁净室将于今年9月底之前完工，定于明年年初投产;此外，公司还将扩大中国无锡工厂的无尘室面积，预计今年下半年完成。
据悉，等到新工厂全部建设完毕、设备安装到位之后，sk海力士的总投资额或将超过46万亿韩元(约合人民币2800亿元)。
近日sk海力士公布了最新的96层3d nand flash技术，并赋予此技术4d的名称。据悉，sk海力士的首款4d闪存是v5 512gb tlc，采用96层堆叠、i/o接口速度1.2gbps(onfi 4.1标准)、面积13平方毫米，预计今年第四季度出样。
4d闪存的营销用意更大?
据韩媒ddaily报导指出，sk海力士最新的96层3d nand flash技术，特色是采用charge trap flash(ctf)结构，将外围电路(peripheral under cell，简称“puc”)的位置由水平改为垂直，puc构造目的在于缩减芯片面积，采在周边晶体管(transistor)上直接蒸镀晶胞(cell)阵列堆叠而上的方式。因此，蚀刻制程与导电材料是技术关键，目前sk海力士控制栅极材料是以适当比例的钨、铜、铝混合而成。来源：韩媒
