发射极 - 基极电压
vebo 5 v
连续集电极电流ic 1 a.
峰值脉冲电流icm 4 a.
基极电流ib 200 ma
工作和存储温度范围tj：tstg -55至+ 150°c
电气特性（tamb = 25°c）。
parameter symbol min。 max。
v（br）cbo 50
v ic =100μa
vceo（sus）30 v ic = 10ma *
v（br）ebo 5 v ie =100μa
集电极截止电流icbo 100 na vcb = 30v
ices 100 na vces = 30v
发射极截止电流iebo 100 na veb = 4v
集电极 - 发射极
饱和电压
vce（sat）0.3
0.6
ic = 1a，ib = 100ma *
ic = 2a，ib = 200ma *
基射
饱和电压
vbe（sat）1.1 v ic = 1a，ib = 100ma *
基射
打开电压
vbe（on）1.0 v ic = 1a，vce = 2v *
静态正向电流
转移比率
hfe 100
100
60
20
300
ic = 1ma，vce = 2v *
ic = 1a，vce = 2v *
ic = 2a，vce = 2v *
ic = 4a，vce = 2v *
转换频率ft 150 mhz ic = 50ma，vce = 10v
f = 100mhz的
集电极基
击穿电压
cobo 10 pf vcb = 10v，f = 1mhz
脉冲宽度=300μs。占空比≤2％
