功率 - 最大1.5w
包装卷带（tr）
栅极电荷（qg）@ vgs 5.9nc @ 4.5v
封装/箱体12-ufbga，cspbga
fet功能逻辑电平门
无铅
rohs状态符合rohs标准
-1.2 a.
tc = 25°c
（1）
ids顶视图脉冲漏极到源电流，-9.6 a
tc = 25°c
（2）
连续源极引脚电流-2.3 a.
is
脉冲源极引脚电流（2）-30 a
连续栅极钳位电流-0.5 a.
ig
脉冲栅极钳位电流（2）-7 a
pd功耗（1）0.75 w
tj
，操作连接和存储
-55至150°c
tstg温度范围
（1）每个器件，两侧导通
（2）脉冲持续时间10μs，占空比≤2％
特性
•双p-ch mosfet
•公共源配置vds漏极到源电压-20 v.
•占地面积小1mm×1.5mm qg栅极电荷总量（-4.5v）1.6 nc
qgd栅极充电栅极漏极0.4 nc•栅极 - 源极电压钳位
vgs = -1.8v145mω
•栅极esd保护-3kv
rds（on）漏极到源极导通电阻vgs = -2.5v115mω
•无铅
vgs = -4.5v95mω
•符合rohs标准vgs = -1.8v245mω
•无卤素rd1d2（on）漏极导通电阻vgs = -2.5v180mω
vgs = -4.5v140mω
应用
vgs（th）阈值电压-0.65 v.
•电池管理
•加载开关订购信息
•电池保护设备包装媒体数量
1毫米×1.5毫米7英寸胶带和csd75205w1015 3000描述晶圆级卷轴卷轴
该器件设计用于以最小的外形提供最低的绝对最大额定电阻和栅极电荷
可能在ta = 25°c时具有出色的热特性，除非另有说明value unit
超低调。低导通电阻以及vds漏极至源极电压-20 v.
小尺寸和低外形使器件成为vgs栅极至源极电压-6 v的理想选择
用于电池供电的空间受限应用。
