3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数

3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数

表1.1.14:

原型号 3DG6 测试条件
新型号 3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D
极限参数 PCM(mW) 100 100 100 100
ICM(mA) 20 20 20 20
BVCBO(V) ≥30 ≥40 ≥30 ≥40 Ic=100μA
BVCEO(V) ≥20 ≥30 ≥20 ≥30 Ic=100μA
BVEBO(V) ≥4 ≥4 ≥4 ≥4 IE=100μA

直流参数

ICBO(μA) ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 VEB=10V
ICEO(μA) ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 VCE=10V
IEBO(μA) ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 VEB=1.5V
VBES(V) ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 Ic=10mA IB=1mA
VCES(V) ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 Ic=10mA IB=1mA
hFE ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 VCE=10V Ic=3mA
交流
参数

fT(MHz)

≥150 ≥150 ≥300 ≥300 VCE=10V IE=3mA f=100MHz
RL=5Ω
Kp(dB) ≥7 ≥7 ≥7 ≥7 VCE=-6V IE=3mA f=100MHz
Cob(pF)

≤4 ≤4 ≤4 ≤4 VCE=10V IE=0

hFE色标分档       (红)30~60; (绿)50~110; (蓝)90~160; (白)>150

 
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发布日期:2020年02月17日  所属分类:电子基础知识