英特尔称PRAM有潜力取代DRAM

英特尔日前表示,其所开发的相变随机存取存储器(pram)有潜力取代当前的dram(动态随机存取存储器)。

 在日前于北京召开的“英特尔信息技术峰会(idf)”上,英特尔首席技术官justinrattner展示了新型pram内存,并表示,pram有潜力取代当前的dram。

 rattner还称,英特尔开发pram已经有十年的历史了。据悉,pram是一种非易失性的内存产品,它集dram内存的高速存取,以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体,因此被业界视为未来dram和闪存的替代品。

 据英特尔称,pram的读写速度相当于闪存的1000多倍,而能耗只有当前闪存的1/2。目前,英特尔与意法半导体携手开发这种pram产品。

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:新闻动态