英特尔日前表示，其所开发的相变随机存取存储器（pram）有潜力取代当前的dram（动态随机存取存储器）。
在日前于北京召开的“英特尔信息技术峰会（idf）”上，英特尔首席技术官justinrattner展示了新型pram内存，并表示，pram有潜力取代当前的dram。
rattner还称，英特尔开发pram已经有十年的历史了。据悉，pram是一种非易失性的内存产品，它集dram内存的高速存取，以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体，因此被业界视为未来dram和闪存的替代品。
据英特尔称，pram的读写速度相当于闪存的1000多倍，而能耗只有当前闪存的1/2。目前，英特尔与意法半导体携手开发这种pram产品。
