据芯片分析公司semiconductorinsights(si)透露，内存芯片制造商qimondaag和microntechnology在dram市场和技术领先的三星电子公司之前推出下一代ddr3(doubledatarate3)dram样片。
si营销副总裁jennmarkey在一份声明中表示，ddr3的速度比ddr2快一倍，而功耗并没有大幅上升，市场对ddr3的到来期待已久。令人惊讶的是qimonda和micron的ddr3样片先于三星电子推出。
ddr3可提供高达1600mb/s的数据速率，比目前的ddr高一倍多。由于电压从1.8伏降到1.5伏，因而功耗更低，热耗散更少，移动系统的电池寿命也得到延长。此外，在封装、pinout、用于ddr3内存更高速度的运行的信令等方面有显著改进。
micron公司内存部分高级营销经理billlauer表示，该公司将在2007年年中量产1-gigabitddr3芯片，并提供2-gigabitddr3芯片样片。si认为，ddr3市场有望在2007年出现，而当前的市场宠儿是速度在800mhz以上的512-megabit和1-gigabit内存。
