茂德正式通过向经济部投审委员会提出大陆八吋晶圆技术提升至0.18微米制程的申请案外，也同时通过赴大陆设立8吋厂公司案，另外为布局手机整合性相关零组件市场，董事会也决议赴海外设立影响传感器的ic设计公司计划。
就设立大陆厂一事，茂德表示，地点已经确定在重庆，为独资厂，但由重庆市政府出资替茂德兴建一座8吋厂，今年初时已经整地，并计划在本月份开始动工兴建，建厂所需时间约一年到一年半，总投资金额9亿美元。依照茂德估计，该厂最快会在2007年底到2008年初间完工，若依此进度估算，最快能自2008年第二季以后量产，至于该厂的单月满载产能约为六万片，所需设备将自茂德竹科8吋厂搬过去，主要生产flash卡的控制ic、影像传感器，以及小尺寸面板用的驱动ic等。
另外，茂德董事会也通过赴海外设立影像传感器的设计公司，茂德表示，公司长期以来均希望能导入手机市场，考虑现阶段手机所需要的整合性关键零组件为dram、flash与影像传感器，而茂德目前拥有dram的设计与生产能力，至于闪存部分，母公司茂硅为台湾最早期拥有开发nor闪存技术的公司。
nand部分，茂德自行研发的一gｂ产品工程片也已经产出，因此就整体产线来说，茂德现阶段最缺乏的便是影像传感器研发能力，为此，茂德决心补强，并由董事会通过设立设计子公司的计划，至于子公司的设立地点，会以人才所在地为最重要的考虑。
