飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)成功扩展其功率开关器件解决方案，推出采用超紧凑型(3mm×3mm)模塑无脚封装(mlp)的100v、200v和220vn沟道ultrafet器件，最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式dc/dc转换器的初级端开关，能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。
与市场上类似的200vmlp3x3封装器件相比，飞兆半导体的200v器件fdmc2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nc对比4nc)和最低的导通阻抗(200mω对比240mω)。这些特性使该器件的品质系数(fom)降低了27%，并且在dc/dc转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200v器件具有同类封装器件中最佳(3c/w比25c/w)的热阻(thetajc)，在严苛的环境中也能保证可靠的散热。
飞兆半导体通信应用部市场发展经理mikespeed称：“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型mlp3x3功率开关产品。我们将powertrench工艺的优点与先进的封装技术相结合，全面提升ultrafet产品系列的性能。这些产品经过专门定制，能满足现今dc/dc转换器应用中最严苛的设计要求。”
飞兆半导体的ultrafet器件除了能提供比市场上同类型封装mlp器件更出色的热性能和开关性能外，仅占用较dc/dc转换器设计常用的so-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小mosfet的占位面积及增强封装热容量，以便设计出更小型，更高功率密度的dc/dc转换器。
飞兆半导体还推出了一款同样采用mlp3×3封装的150vp沟道平面型ultrafet器件，与这三种n沟道器件相辅相成。这个器件针对有源箝位拓朴中同时需要n沟道和p沟道mosfet的应用而开发。为设计人员提供了完整的解决方案，这些无铅器件能达到甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
现提供样品和测试板，交货期为收到订单后8周内。
