韩国现代宣布，该公司已成功开发出512mb gddr4 dram芯片。该公司预定自明年上半年开始量产，同时预定在明年下半年完成每秒14.4gb处理能力的gddr4 dram开发计划。
现有的dram是由8个或16个pin组成，而gddr则系由32个pin组成，较现行一般dram可以在同时间处理较多的数据。值得一提的为第四代gddr4较现有之gddr3之处理能力提升约达两倍。另在处理速度方面，gddr4每一秒超过10gb，达11.6gb。
此现代公司的gddr4是采低电力设计技术，使用电压为1.5v。
