正当2大韩系dram晶圆厂三星电子(samsung electronics)及韩国现代(hynix)于nand型闪存(flash)市场陷入激战之际,台湾dram厂却纷纷大举投入90纳米制程的建军备战,重兵部署2006年全球dram市场主流产品ddrii。台系dram厂表示,现阶段唯有加紧拉高90纳米制程生产良率,才能有机会于2006年胜出,因为2006年dram厂决胜关键就在于90纳米制程。
台系dram厂指出,近几个月来,2大韩系dram厂对于标准型dram几乎是无心恋栈,所有心思均放在nand型flash生产上,主要原因系现阶段nand型flash毛利仍远优于标准型dram,三星甚至公开表示,就算三星已成为全球第一大nand型flash供货商,但仍不会减少对于nand型flash的生产。
韩国现代对于nand型flash态度也是一面倒情况,估计2005年底前来自nand型flash营收贡献度,将占韩国现代整体营收比重逾40%,因此,对于标准型dram产出亦显得意兴阑珊。台系dram厂认为,尽管三星及韩国现代亦不遗余力投入先进制程,但相较之下,仍明显不如台厂动作积极。
台dram厂方面,目前茂德正全力投入90纳米制程,预期在2005年下半及2006年真正能挹注茂德营收增长的,便是来自于中科12英寸厂的90纳米制程生产线,茂德将凭借90纳米制程,在2006年推升产出增长逾80%,加上2006年dram产业进入ddrii世代,惟有仰赖采90纳米制程的12英寸厂,才能主导市场。
茂德董事长陈民良表示,茂德到9月时90纳米制程投片量将达3,000片,12月会提升到7,000片,较原定计划进度提早约2个月。他认为,90纳米制程进度是愈快愈好,因为2006年dram市场决战点,便在于谁能拥有较多90纳米制程产能。
力晶方面,预计11~12月便将进入90纳米制程量产,并在年底占力晶整体产出量约10%。力晶表示,加快导入90纳米制程量产,在于唯有采用90纳米制程,才能够产出现货市场或oem计算机大厂所要的ddrii 667规格产品,由于力晶90纳米与0.10微米制程技术属于同一世代,因此,有信心在短期内快速拉高90纳米制程产出。
至于华亚科,目前对于90纳米制程同样是全力以赴,由于华亚科现已全数投入ddrii产品,到2006年若欲与其它新进12英寸厂一较高低,绝对必须尽快导入90纳米制程,才有机会在市场上胜出。