作为半导体市场睛雨表的dram，受益于全球半导体产业的复苏，自2003年下半年来需求高涨，主要的dram厂商也先后摆脱亏损实现了赢利，并在各大市场研究公司发布的排名榜上风光无限。然而，成熟的pc市场已经没有太多的想象空间，资本投资大、制造成本偏高、利润日薄已经使dram成为鸡肋市场。相反，由于无线通信和消费电子市场的火爆，他们将目光更多转向了更为紧俏的闪存上。
英飞凌和美光看淡dram市场
继最近《金融时报》报导全球第三大dram厂商英飞凌计划剥离占销售额40%的dram业务后，日前道琼斯(dow jones)又报导说，全球第二大dram生产商美光(micron technology)计划扩大其非dram销售。几年前，nec、三菱、日立、东芝等巨头曾先后剥离dram业务，但英飞凌和美光的举动引人震惊在于，他们在dram市场上表现良好。市场研究机构isuppli的数据显示，2003年英飞凌和美光的dram销售额分别增长了43%和18.4%。
报导援引美光首席执行官steve appleton的话称，美光预期，非dram产品占其处理的晶圆的比例将在2004年底前达到20-25%，而目前则占12-15%。同时，到2007年，美光的业务预计将有40%左右来自非电脑领域的客户，而截止到2003年8月28日的上个财年则为18%左右。在2003财年，美光的销售收入有96%来自dram销售，82%的销售额来自pc市场。
“在战略层面上，我们已决定牺牲纯核心计算dram晶圆业务，以提高其它产品所占的比例。”报导援引appleton的话说。
但报导同时强调，appleton并不是想逐步退出dram市场。“我们喜欢自己在dram市场中的地位。”报导援引appleton的话说。
据悉，美光将扩大图像传感器芯片业务，并计划在2005年开始利用nand技术生产闪存产品。
而英飞凌目前已经开始生产闪存产品，该公司曾在2004年初宣布，其位于德累斯顿的200毫米dram工厂已经开始生产512mb nand兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划每月制造超过10,000片晶圆，采用170纳米制造工艺。而2007年，该公司更希望在nand市场成为前三甲。
“nand闪存市场有可能是将来发展最快的存储器产品，”英飞凌公司闪存业务部总裁兼总经理peter kuecher表示，新推出的512mb闪存采用tsop封装，将定位在移动存储产品市场，如sd、mmc、闪存卡和记录棒，这些产品将主要用在数码相机和pda产品中。
三星也将重心转向闪存
不仅是美光和英飞凌已经淡看dram产品，就连dram市场的老大三星电子也把主要精力转向了闪存和lcd上。由于三星电子将重心转向nand闪存，虽然2003年整体dram市场增长了11.9%，2003年三星电子的dram销售额却下降了0.8%，市场份额也由32.2%下降到28.6%。
2004年，三星电子计划将闪存产能提高一倍，然而dram上的资本支出却大大减少。2004年三星的ic资本支出预计为59亿美元，高于2003年的51.4亿和2002年的31亿美元。但该公司对于内存方面的资本支出预计将由2003年的32.4亿美元下降至13亿美元。它的lcd支出预计将由2003年的14.7亿劲升至23亿美元。
更重要的是，三星电子过去一直是将最新的半导体处理工艺用于制造dram，但2003年该公司进行了战略调整，nand闪存成为三星电子最新技术的推动器。这家韩国公司曾在2003年10月证实，将在2004年推出70纳米nand闪存，这比使用同样工艺生产dram要早整整一年。
三星电子内存业务部副总裁jon kang表示，该公司采用70纳米工艺制造的4gb nand闪存样片将在2004年第三季度面世，同年第四季度将限量生产。三星将会使用类似的80纳米工艺生产512mb dram，但时间不会早于2005年第三季度。
他表示，“我们将会把最新的工艺用于制造闪存，时间比dram更早。”三星已经在使用90纳米工艺生产2gb nand闪存，这也比同样工艺的dram要早一年。
市场研究公司ic insights最近公布的数据显示，2004年第一季度全球ic出货量比2000年第一季度增长了30%，整体市场已经超过了半导体产业高峰的2000年。ic insights还指出，而与2000年同期相比，2004年第一季度18种主要产品中有6种销售收入超过四年前，另外有8种产品的销售收入较2000年同期下滑超过11%，其中包括dram。
ic insights解释说，由于eprom、sram、mos门阵列、digital bipolar和rom这些产品已经进入产品生命周期的后期，因此销售收入再也无法回复到2000年的巅峰。
