据咨询机构isuppli最新出炉的研究报告，2005年全球高密度nor闪存市场收入将比2004年下滑7.4，从2004年的56亿美元萎缩到52亿美元，这是由于高密度nor闪存芯片平均价格下滑造成的。该咨询机构预计nor芯片的平均价格将从2004年的6.40美元下滑到今年的4.85美元，降幅到24％。isuppli定义的高密度nor闪存芯片是指64m比特至1g比特容量的芯片。
为了赢得nor闪存芯片市场份额，这一市场的主流厂商英特尔和amd旗下的spansion公司展开了激烈的价格战。来自该咨询机构的高级分析家mark devoss表示，由于价格不断下滑，为了维持可接受的利润率，采用每单元两比特技术成为一种必然。这种每单元含两比特技术包括来自英特尔的strataflash技术和spansion的mirrorbit技术。
高密度nor闪存一大应用是手机，手机对闪存集成度的要求是越来越高，在一些市场推出的3g手机产品对nor闪存的容量需求达到了1g比特，而2.5g手机对nor闪存的容量需求也从128m比特提升到了256mg比特。
为了满足这一应用领域的需求，芯片厂商必需在多芯片封装包中提供至少256m比特集成度的芯片，而且采用每单元含两比特技术。在三大nor芯片厂商英特尔、spansion和stmicroelectronics中，只有英特尔已经推出了满足需求的产品。spansion和stmicroelectronics在过去的6到9个月通过提供由而到三个128m比特的nor芯片组成的芯片封装包来满足需求，但是这些nor芯片采用的是每单元单比特技术（slc）。然而随着价格的下滑，这种128m比特slc芯片封装包的利润已经开始大幅度下滑。
spansion现在正在推出256m比特s29ws256n mirrorbit芯片产品，而stmicroelectronics也计划准备推出类似产品。
该咨询机构还预测，高密度nor闪存市场收入将在2006年达到58.53亿美元，2007年达到62.16亿美元，2008年达到66.17亿美元，2009年达到71.09亿美元。
受手机市场推动，高密度nor闪存芯片将成为发展的趋势。今年256m比特至1024m比特闪存芯片收入在整个nor市场的比重将达到37％，而到2009年这一比重将提升到76％。
