3月21日消息,据dram模块制造商透露,三星电子将于4月初提前量产其8g mlc nand(与非)闪存,预计4月底即可供货。
据digitimes报道,该日期要早于三星公司此前的预期。三星存储产品部门副总裁kim il-ung去年10月份曾表示,公司计划于2005年第四季度量产这种8g的nand闪存。
三星公司表示,他们将在短期内将产品样本提供给合作伙伴。据悉,该闪存产品基于60纳米、12英寸硅晶圆制造工艺。
据业内消息称,在推出8gnand闪存后的数月内,三星还将推出16g mlc nand闪存。按照原计划,三星本应于2007年推出该产品。
据调查结果显示,三星目前拥有nand闪存市场65%的份额。