联电宣称2011年试产28nm工艺3d堆叠芯片，使用28nm新工艺试产3d立体堆叠式芯片，并于2012年批量投产。
联电ceo孙世伟(shih-wei sun)表示，这种3d堆叠芯片使用了硅通孔(tsv)技术，是联电与日本尔必达、台湾力成科技(pti)共同研发完成的。这次三方合作汇聚了联电的制造技术、尔必达的内存技术和力成的封装技术，并在3d ic方案中整合了逻辑电路和dram。
孙世伟指出，客户需要3d-ic tsv方案用于下一代cmos图像传感器、mems芯片、功率放大器和其他设备，而使用tsv技术整合逻辑电路和dram能够满足it产业和消费电子产品发展所需要的更强性能、更高集成度。
他强调说，联电与尔必达、力成的合作将给客户带来一套完整的解决方案，包括逻辑电路和dram界面设计、tsv构成、晶圆研磨薄化与测试、芯片堆叠封装。
力成董事长dk tsai则补充说，他们已经与尔必达就tsv技术探讨了两年之久。
尔必达ceo兼总裁阪本幸雄(yukio sakamoto)透露，他们利用tsv技术开发出了8gb dram芯片，能在逻辑电路和dram设备之间提供大量i/o连接，显著提高数据传输率、降低功耗。
