若进度符合预期，预计最快2019年第3季将可望投产，届时将有机会转亏为盈，而长江存储也规划2020年将跳过96层3dnand，截道超车跨向128层3dnand。随着量产技术提升及规划产能30万～45万片全数开出，未来将有机会抢进全球约10％市占率。
清华紫光集团同时在其它据点推展建设进度，包括南京厂与成都厂先后于年底前进入动工阶段，合计三大生产基地将投入人民币1，800亿元生产3dnand芯片，另一方面，紫光集团也频频招手英特尔合作，欲倾集团资源之力全速发展nandflash工艺。
国内崛起进入nand flash市场只是时间问题，虽然2019年仍处于试车阶段，但在逐渐增加产出贡献后，在进行技术转变的过程中，仍需要解决量产良率的问题，而良率不合格问题产品是否将影响市场秩序，将值得观察。
今年的产业变数巨大
有报道预测，2019年第1季nand flash会降10％到15％价格。对此，外资花旗银行的分析师在最新的报告中，维持了对美商存储器大厂美光股票的中性频等，但下调了美光在2019年的营收及获利预期，理由就是2019年的整体存储器市场将面临大降价的状况。
在当前市场因为产能过剩、库存增加的情况下，预计2019的nand flash及dram都会有一波大降价的情况。其中，nand flash的价格会跌45％，dram价格会下跌30％。而且，这样的价价幅度在2019年第2季之前是看不到价格底线的，这也说明了2019年降价的时间至少会维持两个季度以上。
供应端上，每家64层堆栈的3d－nand flash良率已达到成熟阶段，再加上陆续有新产能的投入，即便是96层堆栈的3d－nand flash量产时间延后，依旧无法抵挡不断增长的产出量，不同于内存产品可以应用在缓存上，作为各种电子产品主要存储装置的闪存，价格下跌的过程往往伴随着搭载量的提升。
需求端成长赶不上产出增加的速度，因此2019年整年度整个行业将依旧维持供过于求的格局至年底。
2018年nand闪存之所以大降价，一个关键原
苦日子还没到头，预计今年nand闪存的价格还要再跌50％，nand及ssd厂商这两年要为前两年的涨价还债了。
近期发布财报的西数就已经表露出nand闪存降价对他们的巨大影响了，当季度西数营收、盈利同比下滑，虽然nand闪存位容量出货增长了28％，但是nand闪存的加价跌了16％，导致西数毛利率大幅下滑，增收不增利，而hdd硬盘业务那部分就不用说了，同比下滑了810万部，出货量只剩下3410万部。
nand闪存的降价同样也会影响美光、skhynix、三星、东芝等公司的财报数据，只不过三星、美光、skhynix这些公司有dram内存的高价支撑，财报数据不会像西数这么惨。为了减缓nand价格下跌对公司的影响，从西数到美光都在减少nand闪存产能投资，以便减少nand供应，缓解市场对降价的预期。
64层和96层堆栈闪存命运各不同
今年将是96层3d闪存爆发的元年。在64层堆栈之后，2018年下半年各大厂商也开始量产96层堆栈的3d闪存了，三星公司7月初宣布了第五代v－nand闪存（3dnand闪存中的一种），率先支持toggleddr4．0接口，传输速度达到了1．4gbps，相比64层堆栈的v－nand闪存提升了40％。工作电压从1．8v降至1．2v，同时写入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代闪存提升了30％。
另外，第五代v－nand闪存在制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升了30％，先进的工艺使得每个闪存单元的高度降低了20％，减少了单位之间的窜扰，提高了数据处理的效率。
各个阵营皆可说是磨刀霍霍，美光、英特尔、东芝、西数及skhynix也陆续宣布了自家的96层堆栈3dnand闪存方案，其中西数、东芝的96层3d闪存使用的是新一代bics4技术，qlc类型的核心容量高达1．33tb，比业界标准水平提升了33％，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2．66tb。
时间回到2018年第一季度，三星、东芝、美光等公司的nand芯片利润率是40％，但是第一季度过后nand价格就开始暴降，据统计去年上半年nand闪存价格下跌了至少50％，而根据分析师表示，未来每年还会降低30％，直到下一轮涨价。
2018年的nand市场由涨转跌，这个趋势还会在今年得到延续，不过2019年闪存市场上的变数不只是降价这么简单，新技术、新产品以及中国厂商的加入都会对这个市场带来很大的变化。文章来源：ai芯天下
