随着移动通信技术的普及，射频频带和数据传输速率的量也正显著增加。对移动设备射频电路中所使用的天线开关ic的要求正逐渐朝着多端口，以及改善射频性能的方向发展。此外，为了满足新兴市场高数据传输速率移动通信设备急剧增长的要求，以具有成本效益的方式来改善这些射频性能实属必要。
为了响应这些要求，东芝现已开发出新一代采用绝缘体上硅（soi）技术[6]的tarfsoi™（东芝高级射频soi技术）[5]。tarfsoi™实现了将模拟、数字和射频电路集成于单一芯片的目标。相比其它的传统解决方案，例如砷化镓（gaas），该工艺提供了一种高性价比解决方案，支持高度复杂的切换功能和射频性能。
借助“tarf6”新工艺，为射频开关应用定制的金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）已被开发并应用于新型sp12t射频天线开关ic中，从而带来0.42db插入损耗（f=2.7ghz）以及-90dbm二次谐波失真[7]。的性能。与之前的“tarf5”工艺相比，插入损耗（f=2.7ghz）降低了0.26db，二次谐波失真降低18db。较低的插入损耗可降低智能手机的功耗，而较低的谐波失真则有利于开发需要低失真的载波聚合[8]智能手机。
东芝将于今年年底扩大采用具有低插入损耗和低失真的“tarf6”工艺的产品阵容，以满足全球正在部署的长期演进（lte）技术所需的多端口和复杂功能的要求，而lte-advanced[9]技术有望紧随其后。此外，东芝正考虑提供采用tarfsoi™技术的soi晶圆代工服务。
注：
[1]单刀12掷开关。
[2]当电流在射频电路中从一端流向另一端时所产生的电功率损耗，以分贝表示。
[3]当电流在射频电路中从一端流向另一端时，输出信号中出现的多余频率分量。
[4]截至2014年9月10日的射频天线开关市场。东芝调查。
[5]tarfsoi™是东芝公司的商标。
[6]该技术在mosfet的通道下形成一层绝缘膜，并降低杂散电容，以改善cmos lsi的速度和功率节省量。
[7]具有2倍频率的失真分量。
[8]一种同时使用多个频率载波来增加传输数据速率的技术。为了避免与接收器频段重叠的谐波分量的接收性能出现下降，该应用需要更低的谐波性能。
[9]一种由3gpp标准开发组织制定的新通信标准。由国际电信联盟（itu）定义的第4代移动通信系统中的一种。
面向支持lte-advanced技术的智能手机开发出sp12t[1]射频（rf）天线开关集成电路（ic），实现业内最低水平的插入损耗[2,4] 和射频失真[3,4]。样品出货即日启动。http://ydxk-ic.51dzw.com/
