新型存储技术mram的原型，有望取代如今遍地都是的flash闪存。
mram全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是tdk将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据的时候利用电子角动量来改变磁场。
mram技术的读写速度可以媲美sram、dram，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，等于综合了ram、flash的优点。
tdk多年来一直在研究stt-mram，但此前从未公开展示。这次拿出的原型芯片和一个nor flash闪存进行了肩并肩对比，读写数据的速度是后者的7倍多——342mb/s vs. 48mb/s。
不过目前测试芯片的容量才8mb(1mb)，实在微不足道。
tdk已经让手下的headway technologies(位于美国加州)试产了一块8英寸(200毫米)的mram晶圆，但它没有量产能力，商用的时候必须另外寻找代工伙伴。
至于mram何时能够投入实用，目前还没有确切时间表，但是tdk估计说可能需要长达10年。
intel、ibm、三星、海力士、东芝也都在不同程度地研发stt-mram，而美国亚利桑那州的everspin technologies甚至已经小批量出货，buffalo固态硬盘的缓存就用到了它。http://ywz168.51dzw.com/
