日前，vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，推出新的25v n沟道trenchfet® gen iv功率mosfet---sira20dp，这颗器件在10v的最大导通电阻为业内最低，仅有0.58mω。vishay siliconixsira20dp具有最低的栅极电荷，导通电阻还不到0.6mω，使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(fom)也达到最低，可使各种应用提高效率和功率密度。
今天发布的mosfet采用6mm x 5mm powerpak®so-8封装，是目前最大导通电阻小于0.6mω的两颗25v mosfet之一。与同类器件相比，sira20dp的典型栅极电荷更低，只有61nc，fom为0.035ω*nc，低32%。其他25v n沟道mosfet的导通电阻则要高11%甚至更多。
sira20dp的低导通电阻可减小传导功率损耗，提高系统效率，实现更高的功率密度，特别适合冗余电源架构中的or-ring功能。器件的fom较低，可提高开关性能，如通信和服务器电源中dc/dc转换，电池系统中的电池切换，以及5v到12v输入电源的负载切换。
这颗mosfet经过了100%的rg和uis测试，符合rohs，无卤素。
来源：21ic
