（华强电子世界网讯） 英特尔不再和rambus合作，但rambus相信，和矽统合作推出的新型芯片组sis r659将比英特尔850e将更加出色。
据估计，sis r659将于今年下半年上市。芯片组可支持4通道规格的rdram内存。新型4通道的rdram内存将沿用在rdram的1299mhz工作频率，但带宽上升至了9.6gb/秒。
据悉，4通道rdram内存的频率和英特尔最新的800mhz前端总线并不匹配，而ddr 400则没有这方面的问题。但新rdram的数据传输将比ddr内存更加出色，新品的工作频率包括800/1066/1200mhz。
