安森美半导体进一步拓展其经济高效的高性能功率mosfet系列，推出新系列的自护式smartdiscrete™器件，具有先进的集成水平，由公司领先业界的hdplus™芯片工艺制造，为要求苛严的汽车和工业应用提供优越的性能表现。
这些新型器件是低边、自钳位、46伏（v）、48-185毫欧mosfet，集成了电流限制保护、过热关断、过压保护以及静电放电（esd）保护。安森美半导体的hdplus™芯片工艺以单片式设计在很宽的温度范围内优化性能。供选择的集成功能，范围从取代通用3055 mosfet的业界首款主动钳位、esd保护器件，到带电流和温度限制功能的全自护式mosfet。
在功率mosfet必须经受高功率与/或短路情况的应用中，强制需具备保护功能。针对这种需求，安森美半导体的新型smartdiscrete™ 功率mosfet的自护式电路设计结合了漏极电流感应与限制。在负载短路的情况下，电流限制电路保护可阻止电流尖峰。如果这种情况持续下去，温度电路监测接点温度将在到达某设定点时（典型值为175˚c）关断器件。内部温度限制电路设计为在接点温度降低约15°c时自动接通主mosfet。器件不断进行热循环，直到短路情况被修正。
