存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512mb低功耗dram样品。mobile ram产品是一种超低功耗的dram，与同等密度的标准dram相比，功耗低80%，主要用于智能手机和多功能手机、便携式gps设备、数码相机和mp3播放器等移动产品。
奇梦达的低功耗dram产品系列用超低待机和操作功耗来延长电池使用时间，另一产品的优势是它的超小封装尺寸，能够满足对空间受限的应用需求。这些特性使其成为快速增长的超低功耗dram市场的理想选择。据市场分析家isuppli预测，对低功耗dram的需求量将从2007年2.38亿512mbit约当量增加至2010年的12亿512mbit约当量（年均复合增长率为71%）。
奇梦达采用75纳米低功耗沟槽工艺平台，该平台是公司所有75纳米低功耗dram产品系列的基础。新型mobile-ram采用非常有弹性的设计概念，将ddr与sdr接合以及x16和x32两种界面放入同一个芯片设计，在后端封装测试前采用bond option技术决定产品最终的接合(ddr或sdr)和界面(x16或x32 )。新型mobile dram 也具备单/双面焊垫(pad out)接合版本，能配合任何组件级封装、多重芯片封装（mcp）、或系统级封装（sip）。奇梦达的512mbit低功耗ram针对mcp与sip解决方案提供最高的品质，同时实现最低功耗，从而延长手持设备的电池使用时间。
奇梦达提供的样品是组件和kgd（known good die）晶圆。
