IMEC声称,利用锗基板上面的GaAs太阳能电池,使太阳能电池转化效率实现了重大突破

比利时研究机构imec声称,利用锗基板上面的gaas太阳能电池,使太阳能电池转化效率实现了重大突破。

  imec表示,利用锗基板上面的单结gaas太阳能电池,转化率达到了24.7%的最高纪录。

  电池是根据esa-imager项目制造的。比利时材料技术集团umicore通过一种优化的制造工艺生产了锗基板,以改善锗晶体的内在质量。

  该电池的效率经美国国家可再生能源实验室(nrel)测定和确认。gaas太阳能电池用于卫星太阳能板之中,以及地面上的太阳能聚光器。

  imec利用一种得到改善的微缺陷分布,在锗基板上面外延生长出上述电池。该电池的功率为0.25cmw,利用999 mv的开路电压(voc)和29.7 ma/cm2的短路电流(jsc)、以及83.2%的填充因数,获得了24.7%的效率。

  研究人员表示,改善单结gaas电池的效率是混合单片/机械堆叠三结太阳能电池开发道路上的重要一步。此类太阳能电池是由利用不同半导体制造的太阳能电池堆叠构成的,半导体经过仔细选择,以最有效地吸收太阳光谱。

  在许多可能的组合方式中,imec专注于堆叠电池,顶层电池由iii-v族材料构成,底层电池由锗构成。利用这种组合,imec希望把转化效率提高到35%以上。

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发布日期:2019年07月03日  所属分类:新闻动态