根据web-feetresearch发布的报告，该公司预测2012年度全球内存市场的规模可望达到565亿美元，而trappedcharge与phasechange产品可望超越许多内存领域，攻下其中30.7%的市场。trappedcharge内存主要是nrom，占有2006年度237亿美元闪存市场的6.1%而已，但被看好未来将迅速成长，随着sonosnand变种，诸如tanos与be-sonos的进入nand市场。
web-feetresearch分析家指出，随着floatinggate快闪技术进展到40奈米世代，它面临了scaling方面的挑战，而trappedcharge与phasechange技术将带领nand与nor在scaling方面持续往前推展。目前，trappedcharge内存最主要是使用在norflash作为code储存，占有2006年度nor市场的15.7%；这个领域预测到2012年度的比重将达到28.1%。另一个更巨大的转变将是trappedcharge内存在nand市场的比重，将从目前的不到1%扩展到2012年度的30%。phasechange内存预测将占有2012年度nor市场的5.5%。
