国际整流器公司(internationalrectifier，ir)新推出的200vdirectfet器件应用于专为36v至75v通用输入范围内操作的隔离式设计dc-dc转换器。其超低的51mω典型10v导通电阻rds(on)及减低了的栅极电荷，使irf6641trpbf特别适合应用于高效同步整流mosfet、推动大电流负载的高频及高效的dc-dc转换器、新一代中间总线转换器、dc马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的48v变频器的同步整流。在48v通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流ac-dc转换器也可以采用新器件进行同步整流。
ir亚太区高级销售总监曾海邦表示：“我们最新的200vdirectfetmosfet的电流额定值达到25安培，但面积仅与0.7毫米高度的so-8封装产品相同，同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。1颗directfetmoset就能较2或3颗so-8器件节省超过50%的空间。”
ir的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。irf6641trpbf与其他采用次级同步整流插座的增强so-8器件相比，当每个插座所使用的增强so-8器件的数目相同时，新的directfet器件的效率可提高0.4%。此外，当每个插座使用两个增强so-8器件时，ir的新器件也能提供同样7安培的电流和满载效率。在同一项分析中，每个插座如果采用两颗irf6641trpbf器件的电路，mosfet温度是最低的。
新器件有一个共用mz占位面积，可以方便地将应用转换至其他中电压directfetmosfet，例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100virf6662器件。
新的irf6641trpbfdirectfetmoset现已供货，其基本规格如下：
ir已获专利的directfetmosfet封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。其金属罐结构可提供双面冷却功能，使应用于驱动先进微型处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理能力增加了一倍。此外，directfet封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定(rohs)。
