DRAM和闪存芯片价格反弹,上涨趋势可望持续到9月?

p { text-indent=2em}

制造商和供应商表示,内存产品的合约价格,如ddr、ddr2、sdram和nand闪存在7月出现反弹。256mb的ddr-400合约价格上涨了2.3%,达到22美元,而512mb的ddr-400/333/266内存价格上升3.3%,达到44美元。几家dram制造商表示,由于季节性需求强劲,价格向上的趋势可能会一直保持到9月份。

dramexchange组织预测,在2005年9月和11月期间,256mb的ddr-400价格可能会上涨到26美元的最高点。

台湾南亚科技(nanya technology)已经将其256mb的ddr-400 dimm(双直列存储器模组)合约价格提高了5%以上,达到到23美元。韩国三星电子也已经把部分产品价格比平均合约价格提高了20%,7月份,该公司4gb和8gb的nand闪存芯片报价抬高了1美元。

另外,hynix semiconductor公司也计划提高16mb的sdram-166价格至0.7美元。

  • DRAM和闪存芯片价格反弹,上涨趋势可望持续到9月?已关闭评论
    A+
发布日期:2019年07月04日  所属分类:新闻动态