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富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(ferroelectric random access memory, fram)非易失存储器技术。
根据协议，双方计划研制一种高集成度的下一代fram，其组件面积将只有目前市场上销售的常规fram的1/6， 研发计划预计将于2006年上半年完成。同时，富士通和爱普生还计划开发一种存储器核心处理技术，其特点是对于可执行的读写周期的限制达到了最小。
近年来，便携式信息设备和智能家用电器都变得越来越先进，导致fram非易失存储器的需求量迅速攀升，因为这种存储器能够满足一系列非常广泛的市场需求，例如，与闪存和电可擦除只读存储器(electrically erasable and programmable read only memory, eeprom)相比，这种存储器具有低能耗、快速读写的特点。 除了只读存储器(rom)所具有的功能外，fram还具有非易失随机存储器(ram)的功能，因此能够成为目前市场上的最佳存储设备之一，并成为系统大规模集成电路(lsi)的理想存储器解决方案。
富士通和爱普生计划通过联合开发下一代fram技术，将彼此的重要技术(如fram材料和小型化程序微型化工艺)结合起来，以此来达到缩短开发周期的目的。
