加拿大工程顾问公司semiconductor insights，对美光(micron)与英特尔(intel)合资成立的im flash technologies (imft)的50奈米nand快闪记忆体进行分析后得出，尽管这是第一款50奈米快闪记忆体，其密度却直追东芝(toshiba)的70奈米快闪记忆体。
semiconductor insights指出，imft的这款50奈米nand快闪记忆体为一款single-bit per cell元件，因此其密度和东芝的70奈米8g快闪记忆体相差无几。si公司位元于加拿大安大略省kanata市，专门分析积体电路、设备结构和专利组合。
imft这款50奈米4g快闪记忆体每平方毫米可储存41.8mbits的数据，而东芝采用多层单元(mlc)的70奈米8g快闪记忆体，每平方毫米可储存数据为56.5mbit。
semiconductor insights的首席记忆体分析师geoff macgillivary表示：“我们对imft快闪记忆体的初步分析，证实了字线间距(the word-line pitch)的50奈米闸长度。imft能够以如此快的速度发展到如此之小的微影制程技术实属不易。”
macgillivary同时指出，在此之前最好的单层单元(single-level cell，slc)快闪记忆体是三星(samsung)的65奈米4g快闪记忆体，密度为每平方毫米31.3mbit，而imft快闪记忆体的核心面积比三星的小30%。
唯一优于imft快闪记忆体的是东芝的70奈米8g快闪记忆体，由于采用多层单元，其密度达到每平方毫米56.5mbit。但是其核心面积却比imft快闪记忆体的核心面积大50%，因此增加了制造的总成本。
