根据ee times europe报导，由stmicroelectronics与hynix semiconductor合资成立的hynix-st semiconductor，将可望赶上竞争对手，于近期内推出4-gb与8-gb nand快闪元件，它将在中国的一座十二寸晶圆厂中，采用70奈米程序技术生产。st拥有hynix-st semiconductor三分之一的股权，而hynix拥有三分之二。
这座晶圆厂将在今(2006)年底展开量产，其中的4-gb元件将是single-level cell产品，而8-gb元件将是two-bit per cell。在其他竞争业者中，samsung electronics之前已在7月份开始量产8-gb nand，采用multi-level-cell技术；toshiba也已推出70奈米8-gb nand mlc产品，im flash technologies则正准备推出50奈米的single-bit per cell 4-gb nand。
