根据加拿大技术组织semiconductor insights指出，日前英特尔（intel）与美光（micron）合资成立的记忆体公司im flash，其送样的50奈米制程4gb nand型快闪记忆体（flash）晶片确实结合先进的半导体技术，但其资料密度仍输给东芝（toshiba）具备mlc技术的70奈米制程8gb nand型flash，不过，im flash这项成就，已超越韩厂三星电子（samsung electronics）以slc技术打造的65奈米制程4gb nand型flash，连晶片体积都比三星产品小30％。
semiconductor insights指出，虽然im flash的晶片资料密度为每平方公厘41.9mb，较东芝的每平方公厘56.53mb低，但由于它是采用single-bit架构的晶片，与使用mlc架构的东芝产品相比，有这样的成绩非常难得，未来其制程有机会追赶过东芝。
至于三星65奈米制程4gb容量晶片的资料密度为每平方公厘31.3mb，im flash的晶片尺寸较三星小30％，更能够节省成本，单片晶圆能产出的晶片数量更高。日前三星宣布，推出60奈米制程的8gb nand型flash，后续发展仍值得注意。
分析师表示，im flash这款产品可说是目前最先进的nand型flash，他们对于im flash能够这么快就应用到如此先进的微影制程技术感到印象深刻。im flash预计，在2007年即可将50奈米制程nand型flash量产出货，预料将会对三星与东芝造成威胁。
