日前，加拿大半导体技术分析公司(semiconductor insights，si)对im flash technologies(imft)的50纳米nand闪存进行分析后得出，尽管这是第一款50纳米闪存，其密度却直追东芝的70纳米闪存。imft的这款50纳米nand闪存每个单元大小为一个比特，因此其密度和东芝的70纳米8g闪存相差无几。si公司位于加拿大安大略省kanata市，专门分析集成电路、设备结构和专利组合。
imft这款50纳米4g闪存每平方毫米可储存41.8mbits的数据，而东芝采用多级单元的70纳米8g闪存每平方毫米可储存数据为56.5mbit。
si的首席内存分析师geoff macgillivary表示：“我们对imft闪存的初步分析证实了字线间距上的50纳米门长。imft能够以如此快的速度发展到如此之小的光刻流程技术很不容易。”
macgillivary同时指出，此前最好的单级单元(single-level cell，slc)闪存是三星的65纳米4g闪存，密度为每平方毫米31.3mbit，而imft闪存的内核面积比三星的要小30%。唯一优于imft闪存的是东芝的70纳米8g闪存，由于采用多级单元，其密度达到每平方毫米56.5mbit。但是其内核面积却比imft闪存的内核面积大出50%，因此增加了制造的总成本。
imft是美光(micron)与英特尔合资闪存公司，于2006年1月成立。目前，美光通过自己在博伊西(boise)的工厂向这家合资公司提供nand闪存。2006年底，位于马纳萨斯的300毫米晶圆制造厂将上线，为imft供应nand闪存。同时，2007年初imft自己的工厂也将在犹他州落成，并将作为其公司总部。
