最近，英特尔和美光(micron technology)推出采用50纳米工艺制造的4gb容量nand闪存样片。据美光表示，该器件由两家公司的合资企业im flash生产。就在几天前，三星电子宣布推迟了8g nand闪存芯片的发货，因为该公司正在开发每单元存储四比特数据的nand闪存技术。
而美光表示，此次和英特尔携手推出的是容量为4gb的样片，他们计划2007年量产各种容量的存储器，均采用50纳米过程工艺技术。
根据行业研究预测，nand闪存的市场规模将在2006年达到130至160亿美元，并且到2010年发展到大约250亿至300亿美元。美光内存业务副总裁brian shirley说，“美光在2004年进入nand闪存业务，当时使用90纳米工艺过程。在很短时间内，通过与英特尔合作，我们现在已经可以推出业界领先的闪存产品。”
自从2006年1月成立，im flash technologies(imft)已经开始部署其制造设备。现在，美光通过自己在boise的工厂向这家合资公司提供nand闪存。2006年底，位于manassas的300毫米制造厂将上线，为imft供应nand闪存。同时，2007年初imft自己的工厂也将在lehi落成，并将作为其公司总部。
