根据彭博资讯（bloomberg）报导，三星电子（samsung electronics）将以60奈米制程技术，开发出2gb容量onenand型flash，该新款晶片读取速度更快，不过写入速度比标准型nand型flash慢一些，但仍旧较nor型flash要快；onenand是在nor与nand型flash间的折衷解决方案之一，兼顾读取和写入速度的需求。
三星flash行销总监don barnetson表示，onenand产品在效能与容量上拥有优势，应用60奈米制程技术打造，可获得更高的成本效益，得以在快速成长的市场中获得一席之地，onenand并适合应用在多媒体手机、数位相机、记忆卡、个人电脑与数位电视等领域。
根据三星的资料，新版本的2gb容量onenand型flash，相较旧版的1gb容量晶片，写入速度从原本的每秒9.3mb提高到每秒17mb，也比标准型nand型flash每秒13mb快，亦远远超过nor型flash的每秒0.5mb；三星并指出，如果多颗晶片采用交错方式，则一组8颗的onenand晶片，能提供高达每秒136mb的写入速度。
至于读取速度则已达到每秒108mb水准，大幅超过标准型nand的每秒27mb，但仍低于nor型flash每秒266mb的高读取速度。
由于onenand的优点不但是写入速度快，适合提供给数位相机用记忆卡写入照片外，原本nand型flash为人诟病的读取速度也获得大幅改善，并能应用在手机、消费性电子产品等范围。
三星近来还结合onenand与硬碟机为一体，除了提高效能，也减少电源的耗损，因为onenand型flash可以当作很好的缓冲记忆体，这是onenand型flash应用的新范畴，甫于2006年5月于微软（microsoft）在西雅图举办的winhec 2006中展示过。
目前市场上除了三星的onenand兼顾nor与nand型flash解决方案外，还有超微（amd）与富士通（fujitsu）合资的spansion，它使用mirrorbit技术生产出结合2种不同架构的ornand型flash，反攻nand型flash市场。
三星目前尚未说明何时能以60奈米技术量产onenand型flash，但业界预估若顺利量产，届时对全球flash市场将造成相当程度的影响。
