继日前正式取得瑞萨（renesas）授权1gb技术转移及行销权后，力晶1日宣布正式取得瑞萨4gb产品技术移转及行销权利，力晶发言人谭仲民表示，为此力晶决定加速日前自旺宏所购买的12m厂投资，将2006年资本支出二度调高，由最早的新台币300亿元一路增加至700亿元，此资本支出已直逼晶圆代工龙头台积电。
看准未来全球nand型快闪记忆体（flash）晶片组市场成长潜力，同时为能做到真正成为全方位记忆体供应商，力晶对于投入nand型flash市场一直不遗余力，除了自行成立flash的ic设计公司外，对于瑞萨ag-and型flash技术也同时并进，日前除了与瑞萨已签订1gb的ag-and型flash授权外，1日更与瑞萨进一步签订4gb的ag-and型flash授权。
力晶过去虽已与瑞萨签属1gb产品技术授权制造及销售，但现阶段几家领先大厂均已将制造主流规格不断提升，无论是三星电子（samsung electronics）、东芝（toshiba）等大厂均已量产至16gb甚至更高容量，对于力晶而言，也深刻体认到1gb已非主流规格商品，必须直接跳入到4gb产品才有机会与其他竞争对手一争高低，而这样的美梦终于正式拍板定案。
谭仲民表示，力晶为了进一步能够符合对于flash产能需求，因此决定加码投资12m厂机器设备，将2006年资本支出由600亿元再增加至700亿元，而这也是2006年以来，力晶资本支出首度由原先300亿元上调至600亿元后，如今二度调高。据了解，原本力晶仅规划12m厂月产能至年底前约达1万片，不过，现在由于力晶已导入4gb的ag-and技术后，将在最快时间内导入量产，预估最快下半年起，便能开始挹注营收。
由于新产品对产能需求迫切，董事长黄崇仁也不只一次表示产能严重不足，因此力晶决定加快12m厂导入量产脚步，预估第三季起12m厂同步开始投片，年底月产能将倍增至2万片以上，且预计未来12m厂将全力专攻ag-and型flash。
谭仲民表示，现阶段看来，由于12m厂产能规划超过原预期目标，资本支出由600亿元调高至700亿元，力晶2006年将规划藉由发行海外可转换公司债（ecb）、海外存讬凭证（gdr）以及银行联贷等3种方式筹资，其中将会以银行联贷先办，时间点约落在下半年，不过金额尚未决定。
谭仲民进一步表示，力晶已将所有标准型dram转至12寸厂生产，目前90奈米制程转换状况相当不错，平均良率已超过85％，且目前已有超过70％投片量都采90奈米制程，产出部份也有超过5成采用是90奈米制程，目前力晶在ddrii产能大约占40～50％，加上到第三季底力晶12寸厂超过70％产出全采90奈米制程，将使得每单位晶圆面积可增加40％产出，市场人士认为，到第三季力晶dram制造成本将会比年初降低20％，如平均售价不变的话，力晶毛利率至少会再增加2成。
