作者：联合证券
●半导体市场由六大类元器件：分立、光电、模拟、逻辑、微型组件和存储器组成，在成长性最好的微型组件和存储器市场，国内厂商缺乏竞争优势。国内厂商主要在技术要求较低，产品生命周期较长的分离器件和双极性电路方面有一定的比较优势。
●半导体行业技术进步很快，投资金额巨大，投资风险较大。以“908”和“909”工程为代表的赶超路线整体上不尽人意。
●目前国内芯片制造业形成了高端生产线为代工服务，中低端生产线制造分离器件和双极性电路的差异化竞争战略。这种避开国际大企业的锋芒，专注于自身具有竞争优势领域的策略是适当的，有利于中国芯片制造业的稳步发展。
●华微电子（600360）专注于功率半导体产品（属于分离器件）的制造，近几年的产能扩展取得了较好的成果。不过其以双极性为主的产品将面临mosfet和igbit产品的冲击，能否加快技术进步成为企业发展的关键。
●士兰微（60460）在专注于集成电路芯片设计的同时，加大了对芯片制造的投资力度，并先后建成了5英寸和6英寸的两条芯片生产线。士兰微在芯片设计和制造方面具有一体化优势，但由于进入芯片制造领域时间较短，技术和工艺还有待进一步的提升。
●长电科技（600584）是国内领先的三极管（属于分离器件）制造商，但自身并没有芯片制造线，主要从事分离器件和集成电路的封装业务。随着其封装技术水平的提升，发展空间将不断扩大。
芯片制造的战略分析半导体芯片制造是高投资、高风险的行业，对中国近年来的芯片制造业的发展进行一个总结对看清楚目前形势将很有帮助。
基于赶超路径的908和909工程“908”工程是指国家发展微电子产业20世纪90年代第八个五年计划，“909”是指第九个五个计划。两大工程的主体企业分别是华晶和华虹。它们与华越、南科、贝岭、先进、首钢日电共同组成了当时国内具有代表性的七大芯片制造企业。
“908”工程和“909”工程的思路都是想在大规模集成电路上取得重大突破，从而使中国的集成电路行业迅速赶超国际先进水平，但实际的情况与期望相差较远。
1990年8月，“908工程”启动，目标是形成0.8一1微米技术的大生产能力。这个工程投资额为20亿元人民币，目标是建成一条月产1.2万片的6英寸芯片生产线，产品定位在asic（专用集成电路）。但由于审批时间过长，工程从开始立项到真正投产历时七年之久(在国际上通常只需一年左右)。1997年建成投产时，华晶的技术水平已大大落后于国际主流技术达四至五代，投产当年即亏损2.4亿元。
华虹nec是“909工程”的主体工程，总投资额100亿元，目标是形成深亚（0.35—0.25）微米的8英寸芯片厂。“909”工程选定的主力市场产品是dram。这是半导体市场中容量最大、更新换代最快的产品之一。“909”生产线投产的第一年，主打产品64兆位sdram尚处于生命周期成熟期的末端，市场容量较大，价格水平不错，因此第一年盈利较好。投产第二年以后，64兆位的sdram就进入了生命周期的衰退期，市场容量萎缩，价格成倍下降。以全新设备构成的新生产线，一样陷入了高折旧、低收入的泥沼。
“908”和“909”工程的挫折使大家对于芯片行业的高风险有了更清楚的认识，之后以国家资源为基础的大规模芯片生产线的投资也大大降低了。但整个中国的芯片制造业仍然在高速发展，并形成了高端代工和低端分离器件双向突破的可喜局面。
以代工为导向的高端路径由于中高端的芯片设计能力的不足，中国在大规模集成电路的制造上难以形成完整的产业链，因此作为“909”主体工程，华虹原准备做代工(foundry)，但企业体制改革不到位，经营团队没有建立起来，国际市场也拿不到，后来没有办法才与nec合资生产dram芯片。
随着中国台湾地区厂商的介入，目前大陆地区的芯片代工业务得到了较大的进步，以中芯国际为代表的厂商进入全球前列。据市场调查机构gartner资料显示，中芯国际2005年晶圆代工市场占有率约为6.4%，增长20%左右，全球排名第三。中芯国际2005年晶圆付运量达到1,347,302片（约当8英寸晶圆），销售额达到11亿美元。
以分离器件和双极性电路为导向的低端路径值得注意的是，从2002年开始，国内的兴起了由民间资本为主体的中低端半导体芯片投资热潮，其主要针对市场为分离器件和双极性电路。尽管国际半导体产业已进入建设12英寸芯片线的时期，此次民间资本投资却以6英寸生产线为主，甚至更有少数厂商新建或扩建4英寸、5英寸生产线，只有个别厂商拟建8英寸生产线。
以分离器件和双极性电路为导向是民间资本的战略性选择。由于在mos工艺和微型组件、存储器方面技术进步太快，产品生命周期太短，投资太大，因此民间资本在这方面缺乏任何优势。而分离器件的生命周期较长，技术进步较慢，比较适合在中国制造。双极性电路的生命周期介于分离器件和mo
