nand flash价格难守 三星、东芝压力都不小
三星电子（samsung electronics）守了很久的合约价，终于还是在12月挺不住了！在终端市场严重的供过于求下，三星大降nand型快闪记忆体（flash）合约价，其中mlc（multi-level-cell）制程降幅更高达20％，跌破大家眼镜，而这一出手，连带使竞争对手东芝（toshiba）、海力士（hynix）都受波及，海力士还有dram业务做调节，然东芝一直以来最赚钱的nand型flash业务，尤其是mlc制程，在三星大手笔的调降价格下，大家压力都不小。
2006年第四季的nand型flash价格难守，主要是供给和需求2部份，整个大环境的条件都不够好。供给端有三星大量转换至63奈米高容量mlc制程，而在供给端，缺乏杀手级应用成需求不振的主要关键，虽然多家大厂都陆续推出高容量的mp3播放器，然目前高容量的储存市场中，nand型flash价格仍是不比硬碟划算，因此很难吸引消费者掏腰包购买。
值得注意的是，2007年第一季将步入消费性电子产业的传统淡季，然此时正值海力士60奈米和东芝56奈米制程陆续产出之际，整个nand型flash市场的供需在短期内，恐难露出曙光，别忘了2006年第一季nand型flash价格的例子仍是殷鉴不远。
此外，不少厂商寄望2007年nand型flash在pc的应用中，可以发挥一些功效，毕竟三星和英特尔（intel）推出的hybrid hdd和robson技术，首度将nand型flash导入pc，让市场寄予厚望，然目前分析师预估，2007年pc领域的应用占nand型flash的需求，可能也不会超过5％，这点不禁让人忧心。
不过，值得庆幸的是，至少以目前是情况看来，dram产业在vista作业系统的加持下，2007年行情将不看淡，一些dram和nand型flash“双修”的大厂，可以在记忆体产能上，根据市场的供需做最有效率的分配，或许对nand型flash市场供需而言，可稍稍喘口气。
然整体而言，过去谨守高单价市场的三星，随着mlc制程量产，价格越降越低，也造成竞争对不少压力，海力士还有dram的业务做调节，哪个产品获利高，产能就往此部份分配，然对东芝而言，过去一手独大的mlc制程，渐渐受到三星和海力士的威胁，想必肩上将有不小的压力。
