据美光科技(micron technology inc.)公司nand闪存开发副总裁frankie f. roohparvar介绍，由于公司50nm的nand闪存在2007年初即将量产，因此美光科技希望在2008－2009年间把公司市场占有率提高到10％以上。
roohparvar表示，50nm的4gbit nand闪存将于七月底出样片。明年，美光科技的nand闪存将开始由im flash technologies公司的12英寸晶元厂生产。im flash technologies公司是美光科技与英特尔在今年年初合资组建而成。该加工厂位于美国犹他州莱西市，计划月产能为20万件晶元。
莱西市加工厂和im flash公司在弗吉尼亚州曼拉萨市的另外一家生产厂所使用的nand闪存生产技术都是由美光科技在博伊西市的12英寸生产厂开发出来的。
american technology research公司的分析师doug freedman曾经预计im flash公司将在随后的三到四个月的时间里再建一家新厂，roohparvar承认im flash公司确有此打算并且已经开始物色新生产厂的建厂厂址。
最后，roohparvar表示美光科技非常自信，认为它在全球nand闪存市场上的占有率肯定会在2008年到2009年间超过10％。据isuppli公司统计数据显示，美光科技在2006年第一季度的全球市场占有率为2.9％。
