基于三维晶体管设计和多层介质技术，三星电子开发出一款50纳米1g ddr2 dram芯片。这种芯片采用了选择性外延生长晶体管(selective epitaxial growth transistor,seg tr)，可产生一种更宽的电子通道，从而加速电子流动。这一技术降低了功耗，并提高了性能，尽管三星并没有透露更多详情。
dram开始在容量上追赶nand闪存。就在英特尔和美光合资的im flash technologies公司推出基于50纳米制程的4g nand闪存样品后几个月，三星也在9月初发布了基于40纳米制程技术的32g芯片。
对于三星来说，从60纳米转向50纳米，其dram产量将提高55％。 三星表示，此种dram将于2008年开始量产，并将到2011年成为总额550亿美元的dram市场中的主流技术。
