非挥发性内存技术国际会议“21th nonvolatile semiconductor memory workshop（nvsmw 2006，第21届非挥发性半导体内存学会）”，2006年2月13～15日在美国加利福尼亚州蒙特里举行。该学会自1976年举行首届会议以来，每一年半举行一次，此次已经是第30个年头。
“浮游栅结构的闪存能够延续到哪一代工艺？这个问题是此次会议讨论的重点”（主持科技委员会的东芝半导体公司的吉川邦良）。在半导体内存相关会议当中，闪存所占的比重在该学会上原本就比较大，此次更加突出了这一点。
在除特邀演讲外的5场技术研讨会中，除有一场研讨会（7项论文）是以新型非挥发为主题外，其他4场研讨会（27项论文）均与闪存有关。这四场研讨会分为混载（3项）、浮游栅型（7项）、高介电常数（high-k）膜、纳米微粒陷阱型（9项）、氮化膜陷阱型（8项）。其中，混载以外的24项论文均属于浮游栅型和“后浮游栅型”。出现这种形势的原因就在于“尽管时间上离上次会议仅过了1年半，但业界对闪存寿命恐怕难以坚持到40nm以后的危机感在此期间显著增强”（东芝的吉川）。首日举行的小组讨论会主题就是“where is the end of the road for floating gate scaling and what will replace it.（浮游栅型的发展极限到哪一代？后续结构是什么？）”。以韩国三星电子和美国美光科技为代表的各闪存厂商的技术人员纷纷登台。
与会人数预计将达250人左右，低于曾创下历史最高水平325人的上届会议。“这并非是说业界对非挥发性内存的关注程度降低了，而是恰恰相反。相关学会和研讨会最近几年正在不断增多，此次与会人数的下降是各厂商的有关人员分散到各种会议的结果”（会议主席美光科技的andrei mihnea）。
