反向工程(reverse engineering)及系统分析公司chipworks日前宣布，该公司分析了三星电子最新的s5k3baf 200万像素cmos图像传感器(cis)模组。这是chipworks首次发现运用了130纳米铜工艺的cis技术。图像阵列的de-metallized zone(dmz)结构消除了反射耐蚀层，提升了光学效率。
chipworks技术情报部经理gary tomkins表示：“三星电子这套整合方案十分巧妙，把介电堆迭的图像阵列电介质进行解耦。它容许了外部电路更多金属的应用，保证了更高素质的晶体管整合及系统性能。除此之外，130纳米铜工艺允许应用mim(金属-绝缘体-金属)电容器，以及有源像素传感器(aps)较低的厚度结构，因此改善了在较低像素下的光学性能，为一项杰出技术。”
chipworks高级技术分析师dick james先生表示：“三星电子于300纳米铜线上组装了此技术，显著降低晶片成本，与此同时，亦改良了较细晶粒的性能。三星电子新一代的崭新工艺大有可能赢得更多设计大奖，有趣的是，当成本降低及性能提升，会否吸引其他竞争对手如东芝、micron、台积电及联华电子采用此技术，把cis组装到铜线。”
chipworks的客户依赖公司的分析报告，提取最尖端的技术情报。他们应用了chipworks所提供可靠及忠实的资料，为改善自家的设计及工艺，同时间保持其竞争优势。
