据国外媒体报道，美国加州的闪存制造商spansion公司9月25日宣布，已经生产出了全世界第一片每单元存储四位的闪存芯片。
spansion公司表示，他们将采用这个技术在年底之前用90纳米工艺制造512m、1g、2g的闪存芯片，明年将采用65纳米的工艺生产1g、2g、4g、8g和16g芯片。
事实上，spansion公司的这一制造技术来自以色列的saifun公司。去年年底，saifun公司正式向外界宣布已经成功研发出了每单位存储四位的闪存芯片，并将这一技术授权给了美国的spansion公司和德国的英飞凌公司。
据spansion公司和saifun公司表示，通过每单位存储四位的技术，闪存的容量可以在同一尺寸的芯片上提高一倍，而且架构也比较简单，可以减少制造环节，从而降低成本。另外，通过软件纠错技术，可以最大限度地避免存储过程中的位错现象。
