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意法半导体 EVSTDRVG611MC氮化镓(GaN)电机控制参考设计主打家电和工业驱动设备，在不加装散热器的条件下输出功率可达600W以上，确保终端设备结构紧凑，同时降低物料成本。
该参考设计是一个交钥匙开发板，即插即用，上电后即可开始评测，板载意法半导体 STDRIVEG611GaN 栅极驱动芯片、分立式 GaN 功率晶体管和混合信号微控制器 STM32G431。开发板是一块两层印刷电路板，尺寸为 108mm×110mm，性价比高，物料清单、原理图及 Gerber 文件均可在st.com官网直接下载。
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意法半导体中国
Fiona Zhu
Email：fiona.zhu@st.com
意法半导体发布GaN参考设计，面向家电与工业驱动电机控制应用
交钥匙电路板和文档资料，降低物料成本，加快产品上市
2026年4月2日，中国—意法半导体 EVSTDRVG611MC氮化镓(GaN)电机控制参考设计主打家电和工业驱动设备，在不加装散热器的条件下输出功率可达600W以上，确保终端设备结构紧凑，同时降低物料成本。
该参考设计是一个交钥匙开发板，即插即用，上电后即可开始评测，板载意法半导体 STDRIVEG611GaN 栅极驱动芯片、分立式 GaN 功率晶体管和混合信号微控制器 STM32G431。开发板是一块两层印刷电路板，尺寸为 108mm×110mm，性价比高，物料清单、原理图及 Gerber 文件均可在st.com官网直接下载。
意法半导体的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和驱动芯片正在颠覆功率转换技术市场，能够让充电器、电源适配器和服务器电源的能效和功率密度达到传统硅解决方案无法企及的水平。EVSTDRVG611MC参考设计中的 STDRIVEG611 栅极驱动器专为硬开关电路优化设计，助力 GaN 技术在电机控制领域普及应用，搭配 650V、75mΩ 规格的 GaN 晶体管，可帮助家电设计人员实现行业领先的能效等级、体积更小的电控模块和更高的系统可靠性。
EVSTDRVG611MC板使用直流电源，在不加装散热器的条件下输出功率可达 600W 以上，在加装散热器后，最大功率有进一步提升空间，灵活可变的功率范围使其适配洗衣机等家电和工业伺服驱动装置，以及其他无刷直流 (BLDC)电机应用场景。STDRIVEG611栅极驱动器采用 5mm×4mm QFN小封装，STM32微控制器STM32G431集成三路运放，支持三路分流电阻采样，为客户提供一个有市场竞争力的物料清单。Arm® Cortex®-M4内核可以实时运行复杂控制算法，以满足电机高转速控制需求。
工程师可借助 ST Motor Control Workbench 工具快速评估 EVSTDRVG611MC 开发板，开始应用开发。该工具包含电机特性分析、性能监测等功能，支持自动生成固件，大幅缩短产品上市周期。用户可以在无感电机控制方案中采用FOC磁场定向控制(矢量控制算法)，也可以在有感电机控制架构中采用FOC，以平稳精准地控制电机运转，支持霍尔传感器、增量式 / 绝对值编码器等多种反馈方案。
现在EVSTDRVG611MC可以通过意法半导体代理商或官网订购。更多详情请访问www.st.com/evstdrvg611mc
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📎 意法半导体发布GaN参考设计，面向家电与工业驱动电机控制应用.jpeg (455932 bytes)
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*生成时间：2026-04-02 22:55:17*
