元器件型号:2SB1197

元器件型号:2SB1197

功能特点

产品名称:PNP晶体管

产品型号:2SB1197

产品参数:

Pcm(最大耗散功率):200mW

Ic(集电极电流):800mA

BVcbo(集电极-基极击穿电压):40V

BVceo(集电极-发射极击穿电压):32V

BVebo(发射极-基极击穿电压):5V

hFE(电流放大倍数):Min:82,Max:390

VCE(sat)饱和压降:0.5V

fT(过渡频率):50MHz

封装:SOT-23

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发布日期:2019年09月24日  所属分类:产品库