美国波特兰消息—随着日本宇宙航空研究开发机构发射spritesat卫星，mram技术已经向太空应用挺进。据瑞典angstrom aerospace公司宣布，其微机电系统磁强计将采用mram来替代日本研究的卫星上的sram以及闪存。
“mram替代了angstrom为spritesat设计的模块中的闪存以及电池供电的sram，”位于斯德哥尔摩的瑞典皇家科技学院材料以及陀螺电子学专家、教授johan akerman说，“mram能够重新配置重要的程序以及卫星任务的不同级的路线分辨率，这就是它的重大益处。”
mram的构想在1990年提出，意在替代从ram到硬盘的不同类型的存储器。因为它属于固体存储器，mram超过了硬盘的旋转机制。此外，因为每一个比特可以无限次地擦除和重写，mram超过了闪存，闪存只能以大块擦除和重写1百万次，然后将失效。mram还是非易失性存储器。
除了这些好处之外，mram还有待完善。因为在mram发展过程中存在的问题，即使最高密度的mram芯片，如飞思卡尔的mr2a16a只能以大约20美元的单位成本存储4mb的数据，相比之下，价值5美元的闪存可以存储4gb。对于像军事以及航天这样的利基应用，mram正开始替代其它类型的存储器。
angstrom aerospace正在其卫星子系统中独家采用mram。mram将存储程序数uyiji为现场可编程阵列存储配置比特。此外，mram具有比较方便的可重编程性，从而容许程序代码以及fpga被由地面上传递至mram的新存储镜像进行重新配置。
angstrom aerospace的子系统将在2008年下半年由spritesat卫星发射升空，其中搭载的复杂磁强计将检测地球的磁场以及卫星的轨道。spritesat的整个任务就是在较高的大气层通过可见光效应来研究“sprites”。
此外，位于英国的e2v'technologies plc宣布，它正在测试飞思卡尔半导体公司的mr2a16a mram，以便验证其是否符合-55度+125的军用温度规范。目前，飞思卡尔的mram工作温度在-40 至+105度之间。
