中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。
随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，东芝开发了TW007D120E，该产品将有助于降低功耗，并实现电源系统的小型化和更高效率。
TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构[1]，实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻（RDS(on)A）；其通过更低的导通电阻降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。与东芝现有产品相比，TW007D120E将RDS(on)A降低了约58%[3]，品质因数（导通电阻×栅漏电荷，即RDS(on)×Qgd，代表导通损耗和开关损耗之间的平衡）提高了约52%[3]。这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。
这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，这对下一代AI数据中心的功率转换至关重要。
东芝计划在2026财年实现TW007D120E的量产，并将继续拓展其产品线，包括面向汽车应用的产品开发。凭借这款沟槽栅SiC MOSFET，东芝将助力数据中心及各类工业设备提升能效、降低二氧化碳排放，为低碳社会的实现做出贡献。
TW007D120E基于JPNP21029项目取得的成果，该项目由日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）资助。
- 应用：
- 数据中心电源（AC-DC、DC-DC）
- 光伏逆变器
- 不间断电源（UPS）
- 电动汽车充电站
- 储能系统
- 工业电机
- 特性：
- 低导通电阻和低RDS(on)A
- 低开关损耗和低RDS(on)×Qgd
- 较低的栅极驱动电压：VGS_ON＝15V至18V
- 高热性能QDPAK封装
- 主要规格：
（除非另有说明，Tvj＝25°C）
| 器件型号 | TW007D120E | |||
| 封装 | 名称 | QDPAK | ||
| 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 1200 | ||
| 漏极电流（DC）ID（A） | Tc＝25°C | 172 | ||
| 电气特性 | 漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ） | VGS＝15V | 典型值 | 7.0 |
| 栅极阈值电压Vth（V） | VDS＝10V | 3.0至5.0 | ||
| 总栅极电荷Qg（nC） | VGS＝15V | 典型值 | 317 | |
| 栅极-漏极电荷Qgd（nC） | VGS＝15V | 典型值 | 33 | |
| 输入电容Ciss（pF） | VDS＝800V | 典型值 | 13972 | |
| 二极管正向电压VSD（V） | VGS＝0V | 典型值 | 3.2 |
注：开发中产品的规格和时间计划如有变更，恕不另行通知。
性能对比图表
新产品TW007D120E与现有产品TW015Z120C在RDS(ON)A和RDS(ON)×Qgd方面的对比
测试条件：VGS＝18V（TW015Z120C），VGS＝15V（TW007D120E），Tvj＝25°C。截至2026年5月的东芝调研。
注：
[1]在半导体衬底中形成微细沟槽，并将栅电极嵌入沟槽内部的器件结构。
[2]截至2026年5月的东芝调研。
[3]新开发的1200V SiC MOSFET与东芝第三代SiC MOSFET（TW015Z120C）的比较。截至2026年5月的东芝调研。
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SiC功率器件
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