模块电源广泛用于交换设备、接入设备、移动通讯、微波通讯以及光传输、路由器等通信领域和汽车电子、航空航天等。由于采用模块组建电源系统具有设计周期短、可靠性高、系统升级容易等特点，模块电源的应用越来越广泛。尤其近几年由于数据业务的飞速发展和分布式供电系统的不断推广，模块电源的增幅已经超出了一次电源。随着半导体工艺、封装技术和高频软开关的大量使用，模块电源功率密度越来越大，转换效率越来越高，应用也越来越简单。
模块电源发展趋势
1999到2004年块电源全球市场预测为由30亿美元增加到50亿美元，主要的市场增长点为数据通讯，其中5v输出所占的比例从30%(1999)下降到11%(2004年)。模块电源的发展以下几个动向值得注意：
1)高功率密度、低压输出(低于3.3v)、快速动态响应的需求推动模块电源的发展。
2)非隔离式dc-dc变换器(包括vrm)比隔离式增长速度更快。
3)分布式电源比集中式电源发展快，但集中式供电系统仍将存在。
4)标准设计的dc-dc变换器所占的比重将增大。
5)模块电源的设计日趋标准化，控制电路倾向于采用数字控制方式。
模块电源关键技术
目前国内市场使用模块电源的主要供应商为vicor、astec、lambda、ericcson以及power-one。为实现高功率密度，在电路上，早期采用准谐振和多谐振技术，但这一技术器件应力高，且为调频控制，不利于磁性器件的优化。后来这一技术发展为高频软开关和同步整流。由于采用零电压和零电流开关，大大降低了器件的开关损耗，同时由于器件的发展，使模块的开关频率大为提高，一般pwm可达500khz以上。大大降低了磁性器件的体积，提高了功率密度。
电路拓扑发展趋势
dc-dc变换器电路拓扑的主要发展趋势如下：
高频化：为缩小开关变换器的体积，提高其功率密度，并改善动态响应，小功率dc-dc变换器开关频率将由现在的200-500khz提高到1mhz以上，但高频化又会产生新的问题，如：开关损耗以及无源元件的损耗增大，高频寄生参数以及高频emi的问题等。
软开关：为提高效率采用各种软开关技术，包括无源无损(吸收网络)软开关技术，有源软开关技术，如：zvs/zcs谐振、准谐振、恒频零开关技术等，减小开关损耗以及开关应力，以实现高效率的高频化。如美国vicor公司开发的dc-dc高频软开关变换器，48/600w输出，效率为90%，功率密度120w/in3，日本lambda公司采用有源箝位zvs-pwm正反激组合变换以及同步整流技术，可使dc-dc变换模块的效率达90%。
低压输出：例如现代微处理器的vrm电压将为1.1-1.8v，便携式电子设备的dc-dc变换器输出电压为1.2v，特点是负载变化大，多数情况下工作低于备用模式，长期轻载运行。要求dc-dc变换器具有如下特征：a)负载变化的整个范围内效率高。b)输出电压低(cmos电路的损耗与电压的平方成正比，供电电压低，则电路损耗小)。c)功率密度高。这种模块采用集成芯片的封装形式。
模块电源工艺发展方向
降低热阻，改善散热——为改善散热和提高功率密度，中大功率模块电源大都采用多块印制板叠合封装技术，控制电路采用普通印制板置于顶层，而功率电路采用导热性能优良的板材置于底层。早期的中大功率模块电源采用陶瓷基板改善散热，这种技术为适应大功率的需要，发展成为直接键合铜技术(direct copper bond，dcb)，但因为陶瓷基板易碎，在基板上安装散热器困难，功率等级不能做得很大。后来这一技术发展为用绝缘金属基板(insutalted mental substrate，ims)直接蚀刻线路。最为常见的基板为铝基板，它在铝散热板上直接敷绝缘聚合物，再在聚合物上敷铜，经蚀刻后，功率器件直接焊接在铜上。为了避免直接在ims上贴片造成热失配，还可以直接采用铝板作为衬底，控制电路和功率器件分别焊于多层(大于四层，做变压器绕阻)fr-4印制板上，然后把焊有功率器件的一面通过导热胶粘接在已成型的铝板上固定封装。不少模块电源为了更利于导热、防潮、抗震，进行了压缩密封。最常用的密封材料是硅树脂，但也有采用聚氨酯橡胶或环氧树脂材料。后两种方式绝缘性能好，机械强度高，导热性能好，成为近年来模块电源的发展趋势之一，是提高模块功率密度的关键技术。
二次集成和封装技术——为提高功率密度，近年开发的模块电源无一例外采用表面贴装技术。由于模块电源的发热量严重，采用表面贴装技术一定要注意贴片器件和基板之间的热匹配，为了简化这些问题，最近出现了mlp(multilayer polymer)片状电容，它的温度膨胀系数和铜、环氧树脂填充剂以及fr4 pcb板都很接近，不易出现象钽电容和磁片电容那样因温度变化过快而引起电容失效的问题。另外为进一步减小体积，二次集成技术发展也很快，它是直接购置裸芯片，经组装成功能模块后封装，焊
