什么是cmos-ic？
金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor)结构的晶体管简称mos晶体管，有p型mos管和n型mos管之分。由mos管构成的集成电路称为mos集成电路，而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为cmos-ic（complementarymosintegratedcircuit）。
cmos集成电路的性能特点
微直流功耗—cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围—cmos电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅—cmos电路输出高、低电平的幅度达到全电压的
“1”为vdd，逻辑“0”为vss。
高输入阻抗--cmos电路的输入阻抗大于108ω,一般可达1010ω。
高扇出能力--cmos电路的扇出能力大于50。
低输入电容--cmos电路的输入电容一般不大于5pf。
宽工作温度范围—陶瓷封装的cmos电路工作温度范围为-550c~1250c；塑封的cmos电路为–400c~850c。
所有的输入均有删保护电路，良好的抗辐照特性等。
jedec最低工业标准
jedec最低标准是电子工业协会（eia）联合电子器件工程委员会（jedec）主持下制定的cmos集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为jedec制定的cmos集成电路的最大额定范围：
电源电压vdd~vss18~-0.5v(dc)
直流输入电流iin10ma(dc)
输入电压vss≤vi≤vdd+0.5v(dc)
器件功耗pd200mw
工作温度范围t-55~125(陶封)，-40~85（塑封）ºc
存储温度范围tstg-65~150ºc
输入/输出信号规则
所有的cmos电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10ma。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us,否则必须经施密特电路整形后方可输入cmos开关电路。避免cmos电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致cmos电路的功耗超过规范值。cmos缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容（≥500pf）时等效于输出短路的情况。cmos电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的pmos管和导通的nmos管的低输出阻抗会将电源短路。
