基础电子产品是核心基础产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的最前端。基础电子产品的发展对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。目前，我国基础电子产业实力不强，结构性矛盾突出，自主创新能力不足，制约了我国电子信息产业整体实力的提升。进一步做大做强基础电子产业是“十一五”期间全行业实现健康发展的根本保证。为此，必须在继续巩固我国在传统元器件、部分电子材料和电子专用设备仪器领域优势的同时，坚持跟踪与突破相结合、引进与创新相结合，有所为，有所不为，集中力量，重点突破量大面广的新型元器件、新型显示器件、关键电子材料和重大技术装备，着力培育一批拥有自主知识产权和国际竞争力的优势企业。
优先发展tft-lcd和pdp
面向数字化、高清晰化、平板化需求，优先发展tft-lcd和pdp，促进产业链垂直整合与企业横向联合，扩大产业规模，培育自主创新能力；重点支持oled、sed等新一代平板显示器件的工艺和生产技术开发，力争实现产业化；加快传统彩管产业战略转移，积极发展高清晰度、短管颈等高端彩管产品。
支持建设第六代以上tft-lcd面板生产线，加快国内关键配套件的开发与产业化进程，力争在tft-lcd用彩色滤光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生产设备以及材料上取得突破；重点发展42英寸以上pdp显示屏、驱动电路及模块，掌握规模量产技术；积极组织oled/pled、sed器件和模块的基础技术研发；积极发展小尺寸手机主/副屏、pda和mp3所用oled显示屏。重点发展数字高清晰度彩管及相关配套件、特种示波管。
元器件产业要突破关键技术
以片式化、微型化、集成化、高性能化、无害化为目标，突破关键技术，调整产品结构，促进产业链上下游互动发展，着力培育优势骨干企业，推动产业结构升级。重点发展以下产品：
(1)片式元器件。重点发展超小型片式多层陶瓷电容器，片式铝电解电容器，片式钽电容器，片式电感器，片式二、三极管，片式压电陶瓷频率器件，片式压电石英晶体器件，集成无源元件等片式元器件。大力发展微波介质器件、声表面波(saw)器件、高频压电陶瓷器件、石英晶体器件、抗电磁干扰(emt/emp)滤波器等产品，满足我国通信和视听产品的研发和生产需求。
(2)印刷电路板。研发高密度互连多层印刷电路板(hdi)、多层挠性板(fpc)和刚挠印刷电路板(r-fpc)、ic封装载板、特种印刷电路板(背板、高频微波板、金属基板和厚铜箔板、埋置元件板、光电印制板和纳米材料的印刷电路板)等产品。
(3)混合集成电路。提高引进吸收再创新能力，重点突破通信、汽车、医疗等用途的混合集成电路，逐步替代进口，尽快实现产业起步。
(4)传感器及敏感元器件。重点发展高精度和高可靠性汽车传感器，环境安全检测传感器，新型电压敏、热敏、气敏等敏感元器件，光纤传感器，mems传感器等。
(5)绿色电池。继续支持发展大容量、高可靠性锂离子电池和聚合物锂离子电池；重点开发再生能源体系用低成本高效率太阳能电池(含薄膜太阳能电池)；积极开发镍氢动力电池与锂离子动力电池。
(6)新型电力电子器件。重点发展纵向双扩散型场效应管vdmos，绝缘栅双极型晶体管igbt，静电感应晶体管系列sit、bsit、sith，栅控晶闸管mct，巨型双极晶体管gtr等半导体电力电子器件。
(7)新型机电组件。重点研发无刷智能微特电机；小型化、高密度、高频化、抗干扰多功能新型接插件等产品。
(8)光通信器件。重点发展高速光收/发模块、光电耦合器、光有源器件、光电交换器件以及光无源器件和mems光开关等器件。
(9)高亮度发光二极管。重点研发四元系高亮度红、橙、黄发光二极管，蓝色、绿色、紫色、近紫外gan、sic发光二极管，构建较为完整的led产业链。
产用结合发展电子材料产业
加强国际合作，推动产用结合，突破部分关键技术，缩小电子材料与国外先进水平的差距。重点发展技术含量高、市场前景好的电子信息材料，提高国内自主配套能力。注重环保型电子材料的开发。
(1)半导体材料。大力发展半导体级和太阳能级多晶硅材料；实现8-12英寸硅单晶及外延片的产业化；积极发展6英寸及以上sige、4～6英寸gaas和inp等化合物半导体材料。重点支持面向国内6英寸及以上集成电路生产线所用的248nm及以下光刻胶、引线框架、金丝、超净高纯试剂以及8英寸及以上溅射靶材等材料。
(2)新型显示器件材料。积极发展tft-lcd液晶材料、大尺寸基板玻璃、彩色滤光片、偏光板和背光模组等tft-lcd材料；重点发展荧光粉、电极材料、介质材料、
